Британцы случайно создали высокоскоростную память

Специалисты Университетского колледжа Лондона (University College London) случайно создали чипы сверхвысокоскоростной памяти. Как сообщает ucl.ac.uk, чипы резистивной памяти с произвольным доступом (Resistive RAM, ReRAM) разработаны на базе оксида кремния.

ReRAM работает благодаря изменению сопротивления материала под действием напряжения. Под действием переключающего напряжения в оксиде формируются или распадаются кремниевые нити, которые уменьшают или увеличивают сопротивление ячейки памяти.

ReRAM лучше используемой в настоящее время флэш-памяти потому, что действует быстрее (в сто раз), она долговечнее, а её энергии потребляет меньше (в тысячу раз).

Память может формироваться в виде тонких прозрачных пленок, которые можно, например, интегрировать в сенсорные экраны мобильных устройств. Чип работает при обычных условиях, а не в вакууме, подобно другим разработкам, в которых тоже используется оксид кремния.

Интересно, что новая память была создана не специально: исследователи просто изучали возможность использования оксида кремния в светодиодах.

Пока неясно, когда новая разработка будет использоваться в серийном производстве электронных устройств.